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              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝

              簡要描述:基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝,硅ARC窗口:適用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的經濟型紅外輻射源。該發射器僅需250毫瓦輸入功率,也適合于移動和手持設備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800&#176;C的溫度,具有長期穩定的輻射功率和短的時間常數。對于高容量應用,如樓宇空調、自動化等,JSIR340因其出色的性價比而非常適合。

              • 產品品牌:Micro-Hybrid
              • 廠商性質:代理商
              • 更新時間:2024-09-25
              • 訪  問  量:784

              詳細介紹

              品牌Micro-Hybrid應用領域綜合

              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

              描述

              適用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的經濟型紅外輻射源。該發射器僅需250毫瓦輸入功率,也適合于移動和手持設備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度,具有長期穩定的輻射功率和短的時間常數。對于高容量應用,如樓宇空調、自動化等,JSIR340因其出色的性價比而非常適合。

              帶有反射器的封裝適合從2厘米的距離進行測量。MEMS發射器芯片由多層熱板膜組成,包含一個高溫穩定的金屬CMOSI層。發射器芯片基于硅襯底,采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成?;钚訡-MOSI電阻層免受老化和環境影響。

              應用

              l非色散紅外氣體檢測

              l衰減全反射光譜法

              l直接紅外光譜法

              l光聲光譜法

              目標氣體

              l二氧化碳(CO2)

              l甲烷(CH4)

              l丙烷(C3H8)

              l乙醇(C2H5OH)

              l其他紅外活性氣體

              特點

              l成本效益高的組件

              l標準MEMS技術

              l與CMOS兼容的制造工藝

              l熱板溫度高達740 °C

              l適當的輻射輸出

              l由于熱質量低,調制深度高

              技術參數

              技術參數

              數據

              單位

              光譜輸出范圍

              2-15

              μm

              有效面積

              1.0x 1.0

              mm2

              耐熱1

              25± 5

              Ω

              溫度系數2

              typ.1 000

              ppm/K

              時間常數0-63%

              typ.7

              ms

              標稱功耗3

              300

              mW

              工作電壓4

              typ.2.5

              V

              工作電流4

              typ.100

              mA

              推薦驅動模式

              Power   mode

              活動區域溫度1,5,6

              610± 30

              °C

              窗口

              w/o

              外殼

              TO46

              預計使用壽命7,8

              >5 000 h at 740 °C

              >100 000 h at 610 °C

              絕對最大額定值

              輸入功率3,5

              400

              mW

              外殼溫度8

              200

              °C

              活動區域溫度

              740

              °C

              1. 額定功率下的單位

              2. 25°C - 700°C

              3. 功率開啟狀態

              4. 帶有25Ω熱電阻

              5. 環境溫度為25°C時

              6. 通過紅外相機(0.7-1.1μm)測量的熱點溫度降低10%后的溫度分布平均值

              7. 連續模式下,平均排除障礙時間(MTTF)為63%(膜斷裂,基于阿倫尼烏斯定律的計算值)

              8. 包括環境溫度

              典型操作特性

              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

              電氣示意圖

              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

              電路

              等效電路圖

              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

              機械制圖

              底部

              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

              截面圖-TO46反射器開放式

              基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝 

              產品概述

              型號

              類型

              填充氣體

              低溫度

              最高溫度

              光圈

              窗口

              JSIR340-5-BL-R-D3.6-0-0

              TO46 with reflector

              None

              -20 °C

              180 °C

              2.55 mm

              Open

               

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